Есть конспект?
Пришлите нам!

Нашими учеными разработана технология формирования проводящего элемента нанометровых размеров


НАШИМИ УЧЕНЫМИ РАЗРАБОТАНА ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОВОДЯЩЕГО ЭЛЕМЕНТА НАНОМЕТРОВЫХ РАЗМЕРОВ

В Институте Микроэлектроники и Информатики РАН разработали технологию на основе наноэлектроники по формированию наноструктур на поверхности твердого тела. Новая технология позволила повысить надежность процесса формирования единичного проводящего элемента нанометровых размеров в изолирующей щели между электродами структур с различными характеристиками за счет процесса его самоорганизации и расширения возможностей реализации этого процесса.

Принцип ее работы основан в следующем. В общепринятом способе формирования проводящего элемента нанометровых размеров между двумя электродами структуры, разделенными изолирующей щелью шириной от 2 до 100 нм, включающем введение в изолирующую щель материала (например, органического материала), проводимость которого меняется при прохождении через него потока электронов, напряжение подается с помощью устройства с высоким выходным сопротивлением, и выдержку структуры под напряжением, в отличие от общепринятого процесса обеспечивают изменяемую отрицательную обратную связь между током через структуру и напряжением на ней. При подаче напряжения его повышают до резкого увеличения (скачка) проводимости структуры (U0), причем выходное сопротивление устройства в это время поддерживают в диапазоне от 1 МОм до максимального значения, которое еще обеспечивает уверенное обнаружение скачка проводимости структуры на фоне шумов, а при выдержке напряжение на структуре поддерживают в диапазоне от 2 В до 0при меньших, чем на предыдущей операции, значениях выходного сопротивления устройства.

Таким образом обеспечивается изменяемая отрицательная обратная связь между током и напряжением на структуре, что позволяет каждую из двух последовательных стадий формирования проводящего элемента: стадию зарождения и стадию роста и стабилизации, - проводить в своих оптимальных для их выполнения условиях.

Технология прошла успешные испытания на проводящих элементах нанометровых размеров, которые формировались в изолирующей щели открытой "сэндвич"-структуры Al-Al2O3-W, которая изготавливалась методами тонкопленочной технологии, и показала свое преимущество перед существующими аналогами.

Информация для контакта:

150007, г. Ярославль, ул. Университетская, 21, ИМИ РАН


Dr.BoT© Konspektiruem.ru