Есть конспект?
Пришлите нам!

Биоэлектроника превысила по мощности и возможностям обычные электронные устройства. создана сверхбыстрая и недорогая органическая оперативная память.


БИОЭЛЕКТРОНИКА ПРЕВЫСИЛА ПО МОЩНОСТИ И ВОЗМОЖНОСТЯМ ОБЫЧНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА. СОЗДАНА СВЕРХБЫСТРАЯ И НЕДОРОГАЯ ОРГАНИЧЕСКАЯ ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ.

Исследователи Калифорнийского Университета в Лос-Анджелесе создали органическую оперативную память, которая является более дешевой и быстрой, чем та, что используется в настоящее время, и к тому же долгое время сохраняет информацию после отключения питания.

Результаты исследований, проведенные под руководством профессора Янга Янга из Отделения Исследования Материалов в Школе Разработок и Прикладной Науки им. Генри Самуели, будут представлены на Международной Конференции по Синтетическим Металлам в Шанхае 29 июня.

Согласно Янгу, такие устройства имеют огромный потенциал для использования в персональных компьютерах, цифровых фотокамерах и других электронных устройствах, из-за их более легкого веса и более быстрой скорости срабатывания. Эта память в 3 миллиона раз быстрее, чем обычная оперативная память и ее производство обходится дешевле.

Устроена память в три слоя. Основной слой металлической пленки находится посередине между слоями органических пленок. Этот пакет соединен с двумя электродами. Положительное напряжение применяется для включения устройства.

Информация в памяти остается даже после выключения энергии. При испытаниях устройства информация в памяти после отключения питания сохранялась от нескольких дней до недель. Так что устройство может использоваться для приложений, в которых важно сохранять информацию, которая находится в памяти, но иногда теряется в момент сбоев системы или перебоев питания. Новая оперативная память от этих проблем не зависит. Информация с памяти активизируется в момент включения питания. Это эквивалент процесса "стирания".

Органическая память функционирует по принципу электрической бистабильности, - явление, в котором объект показывает два состояния различной удельной электропроводности при том же самом напряжении. Поскольку два слоя сделаны из органического материала и показывают электрическую бистабильность, новая память получила название Органическое Бистабильное Устройство (Organic Bistable Device (OBD)).

В дополнение к способности перезаписи и сохранения информации в момент отключения питания, обычная работа устройства в качестве оперативной памяти важна для практических приложений.

"Больше чем 3 миллиона циклов запись-стирание проводились на нашем OBD с хорошими перезаписываемыми характеристиками", сказал Янг.

Электрическая бистабильность в органических материалах изучалась в прошлом и ей приписывают различные свойства. "Главное отличие нашего OBD - присутствие залитого в пределах органических пленок металлического слоя", сказал Янг.

Фактически, электрическая бистабильность устройства может наблюдаться только тогда, когда металлический слой имеет некоторую критическую толщину. "Когда толщина металлического слоя слишком велика или вообще сам слой отсутствует, явление бистабильности исчезает", сказал Янг. Эксперименты проводились на металлах: алюминии, серебре, золоте и меди. Однако, формула оптимального металлического состава центрального слоя все еще находится в стадии исследований.

Информация для контакта:

Дэвид Броун, dbrown@ea.ucla.edu, 310-206-0540, Университет Калифорнии в Лос-Анджелесе


Dr.BoT© Konspektiruem.ru